去年11月，高通预告了将要推出的最新芯片骁龙835将采用10nm工艺，将会比前代旗舰产品有27%的性能提升，但功耗下降了40%。
日前，这颗将要在CES正式发布的芯片的详细规格也被外媒曝光，它将采用4x2.45GHz大核、4x1.9GHz小核八核心设计，大小核均为Kryo280架构，GPU为Adreno 540，支持4K屏、UFS 2.1、双摄以及LPDDR4x四通道内存，整合了Cat.16基带。支持Quick Charge 4.0快速充电技术，基于三星10nm FinFET工艺打造。
值得注意的是，Kyro280架构的使用，对VR的支持也提升了20%以上， Adreno 540 GPU则提升了25%的4K视频播放效率，在充电方面，QuickCharge 4.0能实现充电五分钟，提供5小时续航力、15分钟内将设备的电量充到50%，内置了INOV技术相较于Quick Charge 3.0，其充电速度提升20%，充电效率提升30%。
高通每次推出旗舰芯片，哪家手机厂商能够拿到首发也成立大家关注的问题，根据之前的消息，三星S8将成为首发产品，2017年3月正式推出，但后来由于10nm工艺导致供应链方面的问题，三星可能将发布时间推迟到4月。
但在4月前，有消息表明小米6将于今年2月发布，搭载的就是高通835芯片，另外LG也有在第一季度发布自家新旗舰手机LG G6的计划，同样会采用高通最新的芯片。
另外一方面，近日魅族刚刚跟高通达成和解，，按照他们过去发布手机的频率，在第一季度推出最新旗舰也不是没有可能。